MRF6S19200HR5
NXP USA Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | MRF6S19200HR5 |
---|---|
Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
Teil der Beschreibung.: | FET RF 66V 1.99GHZ NI780 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Prüfung | 28 V |
Spannung - Nennwert | 66 V |
Technologie | LDMOS |
Supplier Device-Gehäuse | NI-780H-2L |
Serie | - |
Leistung | 56W |
Verpackung / Gehäuse | SOT-957A |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Rauschmaß | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Gewinnen | 17.9dB |
Frequenz | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
Strom - Test | 1.6 A |
Grundproduktnummer | MRF6 |
MRF6S19200HR5 Einzelheiten PDF [English] | MRF6S19200HR5 PDF - EN.pdf |
FET RF 68V 1.99GHZ NI-880
FET RF 68V 2.16GHZ NI-400
FET RF 68V 1.99GHZ NI-880
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
NXP SMD
FET RF 66V 1.99GHZ NI780
FET RF 66V 1.99GHZ NI780S
FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S
FET RF 68V 1.99GHZ NI-880
FET RF 66V 1.99GHZ NI780S
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S
MRF6S20010 - N-Channel RF Power
RF L BAND, N-CHANNEL
FET RF 68V 2.16GHZ NI-400
FET RF 66V 1.99GHZ NI780
FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MRF6S19200HR5NXP USA Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|